据《科创板日报》7 月 10 日消息，全球晶圆代工龙头台积电近期证实，将在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务。

台积电向行业媒体证实了这一退出计划，强调该决定是经过完整评估后，基于市场动态与公司长期业务策略作出的选择。但有观点认为，大陆厂商在氮化镓领域的快速发展及低价竞争，在一定程度上导致台积电氮化镓业务利润骤降，是其做出这一决策的重要因素之一。

氮化镓作为第三代半导体的核心材料，具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性好等诸多独特的物理和化学性质。这些特性使其在众多领域都展现出了广泛的应用潜力和重要价值。

在新能源汽车领域，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）能够在高电场强度下保持稳定运行，突破了传统硅基器件在电压耐受能力上的瓶颈。在导通状态下呈现极低的电阻，在关断状态下又能维持优异的绝缘性能，可实现数百千赫兹甚至兆赫兹级别的高频开关动作。这使得新能源汽车的电机驱动系统滤波器体积大幅减小，系统响应速度显著加快，散热器的尺寸与重量也得以优化。在充电系统中，GaN HEMT 凭借其低栅极电荷、低输出电容的特性，提升了充电模块的能量转换效率，大幅减小了磁性元件的体积。

在快充领域，氮化镓充电器因其高效率和小尺寸而成为消费电子市场的热门应用。其能够实现更快的开关转换速度与更低的开关损耗，满足了人们对快速充电和便携性的需求。

台积电的退出，可能会给氮化镓芯片市场带来多方面的影响。英诺赛科 CEO 吴金刚表示，6 英寸线的代工模式在成本、性价比及技术迭代速度上难以满足客户的设计导入需求。有业内人士认为，氮化镓晶圆并不适合代工模式，传统的半导体功率器件结构过于简单，并没有太多代工需求，这种模式无法提供足够的投资回报率（ROI），并且与客户之间缺乏足够的共享和合作。GaN 器件需与设计、应用深度协同，通过 IDM 模式（垂直整合制造）直接对接市场是当下更为适合的生产方式，台积电放弃 GaN 代工业务是行业内的差异化选择。

在台积电退出氮化镓代工业务之际，英飞凌宣布其在 300mm 晶圆（12 英寸晶圆）首批样品将于 2025 年第四季度向客户提供。未来，随着英诺赛科等企业采用 IDM 模式继续在氮化镓领域发力，以及其他厂商的积极布局，氮化镓市场的竞争格局或将发生新的变化。而随着技术的不断成熟和市场的进一步发展，氮化镓在新能源汽车、快充等领域的应用也有望持续拓展，行业的发展前景依然值得期待。